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高林春

作品数:71 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
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领域

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地区

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34 条 记 录,以下是 1-10
曾传滨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:静电保护 集成电路 SOI 绝缘体上硅 埋氧层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪涛
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:埋氧层 静电保护 绝缘体上硅 漏电 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫薇薇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:埋氧层 静电保护 硅化物 绝缘体上硅 静电防护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 电路 单粒子翻转 半导体器件 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海南
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:集成电路 存储器 输入端 单粒子翻转 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 二次谐波 背栅 反相器 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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