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张艺蒙
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248
被引量:9
H指数:2
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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一般工业技术
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学微电子学院
宋庆文
西安电子科技大学微电子学院
汤晓燕
西安电子科技大学微电子学院
王悦湖
西安电子科技大学
贾仁需
西安电子科技大学
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张玉明
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
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宋庆文
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
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汤晓燕
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
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王悦湖
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
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贾仁需
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SUB PBI 碳化硅 衬底 肖特基接触
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郭辉
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
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元磊
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 SUB 异质结 集电区 外延层
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袁昊
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:肖特基接触 碳化硅 外延层 电极 肖特基二极管
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胡继超
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 碳化硅衬底 碳化硅薄膜 感应加热器 掺杂
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吕红亮
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 半导体器件 MESFET 参数提取方法 源区
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