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彭大青

作品数：30 被引量：34H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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  • 28个江苏省
共 28 条 记 录，以下是 1-10
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传皓
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC衬底 MOCVD ALN 金属有机物化学气相沉积 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗伟科
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN薄膜 MOCVD SIC衬底 金属有机物化学气相沉积 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乾坤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：ALN 金属有机物化学气相沉积 MOCVD ALGAN/GAN SIC衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘磊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机物化学气相沉积 异质结材料 GAN SI基 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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