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马小龙

作品数：70 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 11个氮化硅
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  • 10个电极
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  • 8个导电
  • 8个等离子
  • 8个等离子体
  • 7个等离子体处理
  • 7个等离子体刻蚀

机构

  • 21个中国科学院微...
  • 7个清华大学
  • 2个中国科学院
  • 2个中国科学技术...
  • 2个中国科学院微...
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  • 1个中北大学
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资助

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  • 7个国家科技重大...
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传媒

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地区

  • 21个北京市
共 21 条 记 录，以下是 1-10
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦长亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 栅极 沟道 鳍片 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付作振
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 栅极 前驱物 沟道 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许淼
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 FINFET 半导体 穿通 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪培真
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 刻蚀工艺 纳米线 栅极 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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