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张严波

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

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地区

  • 18个北京市
共 18 条 记 录，以下是 1-10
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟健
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 源区 SOI器件 背栅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟汇才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 栅极 衬底 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张永奎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 电子设备 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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