许胜国
- 作品数：8 被引量：15H指数：3
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响被引量：1
- 2007年
- 在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。
- 徐静平李艳萍许胜国陈卫兵季峰
- 关键词：界面态密度三氯乙烯
- 表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：3
- 2006年
- 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2+CHCl3(TCE)表面预处理工艺,可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度,从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。
- 许胜国徐静平李艳萍陈卫兵季峰
- 关键词：HFO2MOS器件栅极漏电流界面态
- 不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究
- 2008年
- 在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。电容电压(C-V)特性和栅极漏电流特性测试结果表明,800°C快速热退火(RTA)样品表现出更低的界面态密度、更低的氧化物电荷密度和更好的器件可靠性,这是由于在800°C下的RTA能有效地消除溅射生长过程中导致的损伤,形成高质量、高可靠性的介质/Si界面。
- 陈卫兵徐静平李艳萍许胜国邹晓
- 关键词：高K栅介质快速热退火栅极漏电流
- 小尺寸高k栅介质MOS器件栅极漏电特性研究
- 随着MOSFET尺寸的缩小，栅氧化层厚度不断减小，栅极漏电流迅速增加。高k栅介质取代传统的SiO2后能有效减小栅极漏电，因此成为了当前研究的热点问题。
本文主要研究了小尺寸MOS器件的栅极漏电特性。在器件物理基...
- 许胜国
- 关键词：MOSFET高K栅介质栅极漏电流
- 文献传递
- 超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
- 2007年
- 采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。
- 许胜国徐静平季峰陈卫兵李艳萍
- 关键词：隧穿电流金属-氧化物-半导体场效应晶体管超薄栅介质
- 小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型被引量：5
- 2006年
- 基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.
- 陈卫兵徐静平邹晓李艳萍许胜国胡致富
- 关键词：隧穿电流MOSFET解析模型
- 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型被引量：4
- 2006年
- 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.
- 李艳萍徐静平陈卫兵许胜国季峰
- 关键词：阈值电压量子效应短沟道效应高K栅介质
- 一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型
- 2008年
- 提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的隧穿几率,从而避免了WKB方法在突变边界处波函数不连续带来的缺陷。通过考虑(100)Si衬底的导带多能谷效应和栅极多晶硅耗尽效应,讨论了不同栅氧化层厚度下隧穿电流与栅压的依赖关系。模拟结果与实验数据吻合。
- 李宗林徐静平许胜国
- 关键词：量子隧穿反型层
