包宗明
- 作品数：35 被引量：47H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 阵列类型对金属/电介质光子晶体强透射影响被引量：1
- 2010年
- 设计了正方形和正六边形圆孔阵列组成的金属/电介质光子晶体(MDPhC)来研究阵列类型对其强透射特性的影响。采用微机电(MEMS)技术制作了两种具有相同结构参数的正方形和正六边形圆孔阵列组成的金/二氧化硅/硅光子晶体,利用傅里叶变换红外光谱仪测量其反射光谱。同时,也对这两种结构进行了时域有限差分法数值模拟。理论模拟和实验测量结果均表明,与正方形圆孔阵列相比,由正六边形圆孔阵列组成的MDPhC能够获得较强的光透射增强效果和较窄的透射峰。
- 肖功利姚翔纪新明周嘉包宗明黄宜平
- 关键词：表面光学时域有限差分法
- 二维金属亚波长孔阵列的强透射特性研究进展被引量：5
- 2009年
- 光通过二维金属亚波长孔(孔的直径不超过入射光波长的一半)阵列(TDMSHA)时,由于入射光与金属表面自由电子的电荷密度波发生共振耦合作用,会在特定的波长内表现出窄带透射增强。TDMSHA对光具有的透射增强与滤波特性在纳米光学、光电子、化学传感和生物物理上都有着十分重要的潜在应用。文中回顾了该特性的研究历史,详细地阐述了其发生的物理机理,对近十年来该特性在机理、材料、结构等方面的研究进展作了总结,对其前沿研究热点和应用前景分别进行了分析与展望。
- 肖功利姚翔纪新明周嘉包宗明黄宜平
- 关键词：表面光学滤波表面等离子体
- 基于二维金属亚波长孔阵列结构的MEMS红外辐射源特性研究
- 2010年
- 以MEMS红外气敏传感器为应用目标,采用MEMS技术设计和制作一种二维金属亚波长孔阵列结构红外辐射源。探讨了不同厚度SU-8膜对金属/电介质/金属(M/D/M)二维金属亚波长孔阵列结构在中远红外波段透射特性的影响。设计并制作了Au/SU-8/Au的M/D/M结构,测试采用傅里叶变换红外光谱仪器。同时对M/D/M结构不同电介质层情况下的中远红外波段透射特性进行了模拟。实验结果表明,SU-8厚度在小于1μm时,透射强度远大于厚度1μm以上的结构,且有透射强度最大值出现(SU-8厚度为360nm),同时,随着SU-8厚度的增加,透射谱峰值呈现规律性红移。
- 姚翔肖功利纪新明周嘉包宗明黄宜平
- 双层多孔硅结构上的低温硅外延
- 该文利用两步阳极化反应形成了不同微观结构的双层多孔硅层。并对多孔硅层进行了长时间的低温真空预处理。在这双层多孔硅上利用超高真空化学气相淀积低温外延获得了硅单晶外延层。对该外延层作了ＸＲＤ，ＳＥＭ和扩展电阻等测量，结果表明...
- 王瑾黄靖云李爱珍包宗明吴东平
- 关键词：电阻率
- 文献传递网络资源链接
- 由纳米压印技术制备水凝胶可调谐光子晶体的方法
- 本发明属于光子晶体技术领域，具体为一种由纳米压印技术制备水凝胶可调谐振光子晶体。本发明先设计成二维光子晶体图形结构，制作出PDMS弹性印章作为模板，采用流体铸模和纳米压印技术将PDMS上的光子晶体结构转移到水凝胶上，即得...
- 张金英黄华纪新明王国勋周嘉包宗明黄宜平
- 文献传递
- 表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源被引量：5
- 2001年
- 铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污 ,表面光电压 (SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污 ,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。
- 罗俊一沈益军李刚刘培东张锦心包宗明黄宜平
- 关键词：表面光电压法铁杂质抛光硅片半导体材料
- 扩展电阻测试仪
- 1996年
- 王善鹤包宗明
- 关键词：半导体器件
- PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究被引量：6
- 1996年
- 本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｎ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。
- 於伟峰张伟汤晓东包宗明
- 关键词：PECVD氮氧化硅梯度薄膜
- 用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态被引量：4
- 1991年
- 本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C^2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和硅离子注入后多晶硅薄膜的晶粒组成结构是密切相关的。
- 舒畅包宗明桑野博
- 关键词：多晶硅
- 同步辐射与下一代微电子技术
- 1997年
- 微电子技术发展的核心是单个器件尺寸的等比例缩小和单片芯片上的器件数目不断增加。为了增加器件密度,器件和布线已逐渐由平面结构向多层立体结构发展。异质结、超晶格、量子阱等新型器件发展也很迅速。为了达到以上目的,除了要求不断缩小光刻线宽,还需开发低温超薄膜工艺、异质外延工艺、微区、微结构分析测试等核心技术。同步辐射为以上需要提供了理想的新型光源。美国的IBM,AT&.T。
- 包宗明张秀珠
- 关键词：微电子技术
