易里成荣
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 纳米加工和纳米电子器件被引量：4
- 2005年
- 介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。
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- 关键词：单电子器件共振隧穿器件
- 纳米电子器件及其集成技术
- 目前国际上主要采用从“自上而下”和“自下而上”两个方向开展纳米电子及其器件和集成
- 刘明王丛舜谢常青龙世兵李志钢张立辉易里成荣
- 关键词：电子器件集成技术
- 文献传递
- RTD及其与HBT集成研究
- 易里成荣
- 关键词：RTD水动力学
- 纳米电子器件及其集成
- 2006年
- 对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
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- 关键词：单电子器件
- 一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法
- 单电子晶体管(SET)是一种基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应的新型纳米电子器件,只需对一个或少数几个电子进行操作就可以工作。本文采用电子束光刻、感应耦合等离子体刻蚀等硅工艺技术在SIMOX衬底上制作了一种平面侧栅硅基单电子...
- 龙世兵李志刚王丛舜谢长青张立辉易里成荣陈宝钦赵新为刘明
- 关键词：单电子晶体管电子束光刻
- 文献传递
- 微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用被引量：7
- 2006年
- 微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用.
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- 关键词：光学光刻技术
- DBRTD直流特性的水动力学模拟(英文)
- 2006年
- 利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs/GaAs/InGaAs双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)的直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度、子阱厚度、间隔层厚度、掺杂浓度改变时,可以观察到DBRTD直流特性也随之改变。采用薄的子阱厚度、高的掺杂浓度以及恰当的间隔层厚度、势垒厚度和高度,可以提高RTD器件的峰谷电流比(PVCR)和峰电流密度,从而满足实际应用的需要。
- 易里成荣王从舜谢常青刘明叶甜春
- 关键词：水动力学模型直流特性
- 室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的 双势垒共振隧穿二极管(英文)
- 2005年
- 在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管.在GaAs层中加入In0.1Ga0.9As层用以降低势垒两边的势阱深度,从而提高了器件的峰谷电流比和峰电流密度.为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀性,使用了独特形状的集电极,总的电流密度也因此提高.薄栅也有助于提高器件的PVCR和峰电流密度.在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2.
- 易里成荣谢常青王从舜刘明叶甜春
- 关键词：共振隧穿二极管峰谷电流比
