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李志钢

作品数：4 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电子器件
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米电子
  • 3篇纳米电子器件
  • 2篇单电子器件
  • 1篇隧穿
  • 1篇纳电子器件
  • 1篇集成技术
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿器件
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇光学光刻
  • 1篇光学光刻技术

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇易里成荣
  • 4篇王丛舜
  • 4篇谢常青
  • 4篇龙世兵
  • 4篇刘明
  • 4篇李志钢
  • 3篇涂德钰
  • 2篇陈宝钦
  • 2篇徐秋霞
  • 1篇商立伟
  • 1篇张立辉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
纳米加工和纳米电子器件被引量：4
2005年
介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。
刘明谢常青王丛舜龙世兵李志钢易里成荣涂德钰
关键词：单电子器件共振隧穿器件
纳米电子器件及其集成技术
目前国际上主要采用从“自上而下”和“自下而上”两个方向开展纳米电子及其器件和集成
刘明王丛舜谢常青龙世兵李志钢张立辉易里成荣
关键词：电子器件集成技术
文献传递
纳米电子器件及其集成
2006年
对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
刘明陈宝钦谢常青王丛舜龙世兵徐秋霞李志钢易里成荣涂德钰商立伟
关键词：单电子器件
微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用被引量：7
2006年
微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用.
刘明陈宝钦谢常青王丛舜龙世兵徐秋霞李志钢易里成荣涂德钰
关键词：光学光刻技术
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