刘志宏
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
- 2004年
- 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
- 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰
- 关键词：宽带偏振不灵敏消光比
- 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
- 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3...
- 王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
- 文献传递
- 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件
- 本发明一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：共m×n个垂直腔面发射激光器单元；其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有p电极和n电...
- 刘志宏王圩
- 文献传递
- 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
- 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为1μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3...
- 王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
- 文献传递
- AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器(英文)
- 2004年
- 研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而水平方向的是 2 1 6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力 .
- 刘志宏王圩王书荣赵玲娟朱洪亮周帆王鲁峰丁颖
- 关键词：脊波导边发射激光器
- 宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器被引量：1
- 2005年
- 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1．55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15．6dB的光纤到光纤的增益、小于0．7dB的偏振灵敏度和4．2dBm的饱和输出功率．
- 王书荣王圩刘志宏朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆田慧良
- 关键词：半导体光放大器偏振灵敏度增益饱和输出功率
- 内嵌Al氧化物限制条的AlGaInAs边发射激光器
- 内嵌Al氧化物限制条(ACIS)的边发射激光器,能够综合脊波导结构(RWG)和掩埋异质结结构(BH)的边发射激光器的优点而避免它们的缺点,是一种很有前途的边发射激光器.但是,国际上至今未有有源区为AlGaInAs的ACI...
- 刘志宏
- 关键词：光电子器件
- 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件
- 本发明一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件，其特征在于，包括以下基本结构：共m×n个垂直腔面发射激光器单元；其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台：底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台，还有p电极和n电...
- 刘志宏王圩
- 文献传递
- 半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件
- 一种半导体激光器和楔形波导模斑转换器集成器件，包括衬底区、导光区、限制区、电极区，其中：该限制区制作在衬底区上，该限制区包括，一n型掺杂磷化铟下限制层，一p型掺杂磷化铟上限制层，该p型掺杂磷化铟上限制层分为两层，一层制作...
- 刘志宏王圩
- 文献传递
