公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件: 2006年; 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.; 徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧; 关键词：压应力等效氧化层厚度 CMOS

全选清除导出

共1页<1>

李海欧