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薛丽君

作品数：12 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电子束直写
  • 3篇晶体管
  • 3篇光刻
  • 3篇ALGAN/...
  • 3篇ALGAN/...
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇电子束曝光系...
  • 2篇英文
  • 2篇迁移率
  • 2篇微光刻
  • 2篇微光刻技术
  • 2篇光刻技术
  • 2篇光学
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇AL
  • 1篇氮化镓

机构

  • 12篇中国科学院微...
  • 5篇清华大学

作者

  • 12篇薛丽君
  • 6篇刘明
  • 5篇陈宝钦
  • 4篇李金儒
  • 4篇汤跃科
  • 3篇陆晶
  • 3篇张立辉
  • 3篇任黎明
  • 3篇牛洁斌
  • 3篇王燕
  • 3篇王德强
  • 3篇龙世兵
  • 2篇杨清华
  • 2篇刘珠明
  • 2篇胡勇
  • 2篇鲁净
  • 2篇谢常青
  • 2篇赵珉
  • 2篇徐秋霞
  • 2篇夏洋

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种改进的Poisson方程的数值求解方法
器件建模与模拟在半导体器件结构设计和优化过程中发挥着举足轻重的作用.Poisson方程作为载流子电学行为遵从的基本方程之一,其快速、有效、精确的求解算法直接影响着器件模拟过程的收敛性、稳定性和准确性.本文针对有限差分法,...
薛丽君刘明夏洋王燕谢常青陈宝钦
关键词：POISSON方程半导体器件
文献传递
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量：4
2006年
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.
陈宝钦刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌
关键词：微光刻技术电子束直写
偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析被引量：1
2007年
采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。
薛丽君刘明王燕禡龙鲁净谢常青夏洋
关键词：泊松方程薛定谔方程流体力学方程
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠...
陈宝钦任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强
关键词：微光刻技术电子束直写
文献传递
AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
2006年
考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.
薛丽君夏洋刘明王燕邵雪鲁净马杰谢常青余志平
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管极化电荷量子效应
边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响(英文)
2006年
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管,并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路,但是在有源扩展区部分,由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低。
吴峻峰李多力毕津顺薛丽君海潮和
关键词：PMOSFET
AlGaN/GaN HEMT二维静态模拟方法研究
薛丽君
关键词：晶体管氮化镓半导体器件
Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT二维静态模拟数值方法研究
本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.基于模拟结果,文中给出了异质结导带结构、二维电子气分布和电场特性...
薛丽君夏洋王燕刘明祃龙张立辉
关键词：ALGAN/GAN晶体管
文献传递
AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系被引量：3
2006年
比较有无AlN插入层AlGaN/GaNHEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.
李诚瞻刘键刘新宇薛丽君陈晓娟和致经
关键词：HEMTS电流崩塌效应热电子
CIF格式挖空多边形切割为PG3600格式矩形的算法被引量：2
2006年
给出了一种微光刻图形CIF格式的中间挖空多边形切割成PG3600格式所需矩形的新算法。首先,用水平扫描线把有内环的多边形切割成三角形或梯形;然后,把三角形或梯形切割成矩形和直角三角形;最后,把直角三角形用矩形包围或将其直接切割成矩形。本算法的优越性在于不需要先把挖空多边形切割成凸多边形后再进行切割,而是直接进行,对于三角形则采用了矩形包围拼接的方法,大大减少了切割出的矩形数据量。另外,本算法同样适用于没有内环的凸凹多边形的切割。
李金儒陈宝钦汤跃科薛丽君
关键词：数据格式转换
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