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蒋葳

作品数：25 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 23篇半导体
  • 14篇半导体器件
  • 8篇导体
  • 8篇沟道
  • 8篇半导体结构
  • 7篇刻蚀
  • 6篇沟槽隔离
  • 6篇衬底
  • 5篇电阻
  • 5篇堆叠
  • 5篇有源
  • 5篇迁移率
  • 4篇选择性刻蚀
  • 4篇应力
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇鳍片
  • 4篇外延层
  • 4篇沟道效应
  • 3篇栅极

机构

  • 25篇中国科学院微...

作者

  • 25篇蒋葳
  • 21篇尹海洲
  • 8篇朱慧珑
  • 3篇骆志炯
  • 2篇刘云飞
  • 2篇许高博
  • 2篇张亚楼
  • 1篇于伟泽
  • 1篇许静

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上沿第一方向延伸的鳍片、鳍片上沿第二方向延伸的栅极堆叠结构，其特征在于：鳍片下方与衬底之间还包括绝缘体。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法...
尹海洲蒋葳
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Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析
2014年
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。
蒋葳刘云飞尹海洲
关键词：镍硅化物肖特基接触势垒高度界面态
一种半导体结构及其制造方法
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：在第一侧墙暴露的所述有源区上形成第一接触层；在所述第一接触层中靠近所述栅极堆叠的区域上形成第二侧墙，覆盖部分暴露的所述有源区；在剩余的所述暴露的有源区上形成第二接触层，其中，...
尹海洲蒋葳骆志炯朱慧珑
文献传递
一种半导体结构及其制造方法
本发明提供一种半导体结构的制造方法和相应的半导体器件。在替代栅工艺中通过在源漏区上方形成掺杂多晶硅层，形成贯穿层间介质层(300)和所述非晶硅层(251)的接触孔(310)，所述接触孔(310)至少部分暴露所述源/漏区(...
尹海洲蒋葳许高博
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的浅沟槽隔离，其特征在于：衬底与浅沟槽隔离之间还包括应力释放层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过在衬底与STI之间增加材质较软的应力释放层，将STI形成过程中积累的应力...
尹海州蒋葳
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半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法包括：在衬底上生长第一外延层；在第一外延层上生长第二外延层；在第二外延层上形成牺牲栅堆叠；以牺牲栅堆叠为掩模，选择性刻蚀第二外延层；在第一外延层上生长并原位掺杂第三外延层...
尹海洲蒋葳朱慧珑
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层；向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向浅沟槽中填...
尹海洲蒋葳
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，...
尹海州蒋葳
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，...
尹海州蒋葳
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成第一浅沟槽隔离；在第一浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构；去除第一浅沟槽隔离，在衬底中留下浅沟槽；在浅沟槽中填充绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离。依照本发明的...
尹海洲蒋葳
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