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张亚楼

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇栅极
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇侧墙
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底
  • 1篇电阻
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇迁移率
  • 1篇金属栅
  • 1篇金属栅极
  • 1篇晶面
  • 1篇晶态
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴迁移率
  • 1篇控制电压
  • 1篇硅基
  • 1篇非晶

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇尹海洲
  • 4篇张亚楼
  • 2篇朱慧珑
  • 2篇蒋葳
  • 1篇刘云飞
  • 1篇于伟泽
  • 1篇许静

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件,包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙,其特征在于:源漏延伸区位于栅极侧墙下方,并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半...
尹海洲张亚楼朱慧珑
文献传递
硅基不同晶面上的空穴迁移率研究被引量:1
2013年
近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。
张亚楼蒋葳刘云飞许静尹海洲
关键词:空穴迁移率晶面
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件,包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙,其特征在于:源漏延伸区位于栅极侧墙下方,并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半...
尹海洲张亚楼朱慧珑
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括:在衬底上形成非晶态的伪栅极;使用TMAH湿法移除所述伪栅极,以形成栅极开口;在所述栅极开口中形成高k栅介质层和金属栅极层。通过将传统多晶硅的伪栅极替换为非晶态的伪栅极,使得TMA...
蒋葳于伟泽张亚楼尹海洲
文献传递
共1页<1>
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