刘明
- 作品数：8 被引量：16H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子中心更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 解析GDSⅡ文件格式
- 本文详细的分析了集成电路版图设计中最常用的图形数据描述语言文件格式之一:GDSⅡ文件格式.由于GDSⅡ文件是二进制格式,无法用文本编辑器来看,可读性差,本文试图通过实例分析的方法解读GDSⅡ格式文件,以得到对GDSⅡ格式...
- 胡勇陈宝钦刘明李友
- 关键词：集成电路版图设计
- 文献传递
- 移相掩模曝光中多余线条的去除技术
- 移相掩模曝光中,尤其是全透明移相掩模或亮场的交替和全透明混合移相掩模曝光时必然会产生多余的线条情况,如何在移相掩模曝光中去除多余的线条是移相掩模实用化中很重要的问题.本文重点介绍移相掩模的基本原理,分析亮场的交替和无铬全...
- 陆晶陈宝钦刘明
- 文献传递
- 应用于AlGaN/GaN HEMT的电子束与光学混合曝光技术
- AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍分析了传统的平面式、台面式和作为功率、开关器件应用的四种AlGaN/GaN HEMT...
- 薛丽君刘明夏洋陈宝钦张海英
- 关键词：电子束ALGAN/GANHEMT
- 文献传递
- 可变矩形束电子曝光机电子束形态的精确修正
- 本文重点介绍利用可变矩形束电子束曝光机精确制版中间掩模板或在硅片上直写图形时,如何通过校准子程序对电子束的形态及位置进行调整,使制版的精度要求得到保证.经过调整,使电子束扫描场的拼接精度和旋转精度获得明显提高,同时还可以...
- 张建宏陆晶陈宝钦刘明牛洁斌
- 关键词：电子束曝光机
- 文献传递
- 单电子晶体管的原理及其与传统硅集成电路工艺相兼容的加工方法
- 单电子晶体管(SET)是一种基本的单电子器件,基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应工作,具有库仑振荡效应和库仑台阶效应等量子效应.本文重点介绍采用电子束光刻(EBL)技术、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术及图形相关氧化(PA...
- 龙世兵刘明陈宝钦
- 关键词：单电子晶体管硅工艺电子束光刻
- 文献传递
- 电子束曝光机模拟技术研究
- 本文建立一个描述电子在多元多层介质中散射过程的物理模型,在此基础上运用Monte Carlo方法模拟电子在靶体PMMA-衬底中的复杂散射过程,给出模拟结果.
- 任黎明陈宝钦刘明张建宏
- 关键词：电子束曝光弹性散射非弹性散射计算机模拟技术
- 文献传递
- 电子束曝光技术发展动态被引量：16
- 2000年
- 电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1～ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子束曝光技术的应用。
- 刘明陈宝钦梁俊厚李友徐连生张建宏张卫红
- 关键词：电子束曝光微细加工抗蚀剂
- JBX-5000LS电子束对准标记检测技术
- 电子束光刻技术是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,尤其在百纳米到纳米加工领域的科研和开发中,电子束光刻技术起到不可替代的作用.本文重点介绍JEOLJBX-5000LS电子束对准标记的检测技术,有助于我...
- 李泠刘明陈宝钦
- 关键词：电子束直写对准标记集成电路
- 文献传递
