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许高博

作品数:156 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学金属学及工艺更多>>

领域

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地区

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50 条 记 录,以下是 1-10
徐秋霞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁明正
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:探测器 击穿电压 硅基 暗电流 晶圆
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傅剑宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:探测器 刻蚀 硅基 击穿电压 悬臂梁
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张青竹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 叠层 纳米片 纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周华杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 鳍片 自顶向下 沟道效应 硅化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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