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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇应变量子阱
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振不灵敏
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇磷化铟
  • 2篇光放大
  • 2篇光放大器
  • 2篇放大器
  • 2篇半导体光放大...

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇张瑞英
  • 2篇朱洪亮
  • 2篇王鲁蜂
  • 2篇王圩
  • 2篇刘志宏
  • 2篇王书荣

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法,其特征在于,包括以下制作步骤:1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构;2)光刻腐蚀出宽为1μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条;3...
王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
文献传递
偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法,其特征在于,包括以下制作步骤:1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构;2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条;3...
王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
文献传递
共1页<1>
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