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王冠亚

作品数:25 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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相关领域:电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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31 条 记 录,以下是 1-10
谢常青
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛洁斌
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 衬底 电子束曝光 电子束直写 衍射光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李海亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 衬底 衍射光栅 自支撑 大高宽比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘子维
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衍射光栅 谐波污染 光栅结构 透光 单级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱效立
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 电子束直写 衍射效率 衍射光学元件 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张建宏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束曝光 电子束 电子束光刻 版图 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙世兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧毅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化硅薄膜 刻蚀 MEMS 牺牲层 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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